電晶體之父威廉．夏克利（William Bradford Shockley，1910?1989）

夏克利出生於倫敦，父母親是駐英的美國礦業專家。1913年，夏克利舉家遷回史丹佛大學所在的加州帕洛阿圖市，而夏克利對物理的興趣，就是受到了在史丹佛大學任教的鄰居啟發。取得麻省理工學院博士學位之後，夏克利進入貝爾實驗室，並且在貝爾實驗室成立固態物理研究部門時，出任部門領導人。1947年12月16日，夏克利旗下的研究員華特．布萊頓以及約翰．巴汀以鍺為原料，利用點接觸（Point Contact）的方法製造出史上第一個電晶體。然而一手推動電晶體研發的夏克利，在實驗成功的當下並沒有能恭逢其盛，而且也沒能列名在點接觸電晶體專利的發明人之中。儘管如此，夏克利還是因為電晶體的發明，和布萊頓與巴汀共同獲得1956年的諾貝爾物理獎。夏克利後來改用矽當原料，研發出現行的接面式（Junction Type）電晶體以及場效電晶體（Field-Effect Transistor），把人類文明帶入「矽器時代」（Silicon Age），也贏得了「矽谷摩西」的美名。

夏克利易怒和偏執的個性，是和他專業成就齊名的另一大特點。曾在夏克利手下任職的高登．摩爾曾這樣回憶道：「夏克利常常認為，他的手下會故意搞砸一些實驗或專案，讓他的研究不能成功。」夏克利的後半生，把興趣轉到人類智能的研究上，但是偏執的個性卻讓他提出了種族優化的理論，認為智商低於100的人，都應該被消滅。他並且鼓吹成立「諾貝爾精子銀行」，以身作則地呼籲諾貝爾得主，應該為提升人類智力，捐贈出自己的精子。因此，美國《時代》雜誌雖然把夏克利列為20世紀百位最重要人物之一，但也下了個頗值得玩味的標題：「他是電晶體之父，也是把矽帶進矽谷的推手，但是大多數人會記得的，卻是他那驚世駭俗的種族偏見。」

積體電路（Integration Circuit, IC）

積體電路的構想，最早是在1952年，由英國的杜默（Geoffrey W.A.Dummer）提出。而在1964年9月12日，任職於德州儀器的吉爾比（Jack Kilby），製造出了史上第一個積體電路。5個月之後，英特爾的諾宜斯，也以平面工藝技術製造出積體電路。雖然諾宜斯提出專利申請的時間較晚，但是由於諾宜斯的製程較為可行，因此較基爾比提早3年多取得專利。這樣的結果，引爆了IC業史上最早也最大的專利訴訟案，而且一路纏訟了30餘年。這場戰爭最後和平收場，兩人共享「積體電路發明人」的榮譽。基爾比在2000年獲頒諾貝爾物理獎時，也不忘推崇當時已經過世的諾宜斯，把這份因積體電路得來的榮耀，和諾宜斯一起分享。